HB 6731.12-2005
鋁合金化學(xué)成分光譜分析方法 第12部分：電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法測(cè)定硅含量
Mtehods for spectromertic analysis of aluminium alloys--Part 10:Determination of silicon content by inductivel coupled plasma atomic spectrometric method
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- HB 6731.12-2005
- 發(fā)布
- 2005年
- 總頁(yè)數(shù)
- 6頁(yè)
- 發(fā)布單位
- 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)-航空
- 當(dāng)前最新
- HB 6731.12-2005
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- HB 5218.6-2004 HB 5421 HB/Z 207
- 適用范圍
- 警告--使用本部分的人員應(yīng)有正規(guī)實(shí)驗(yàn)室工作的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。本部分并未指出所有可能的安全問(wèn)題。使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡胧?，并符合?guó)家有關(guān)法規(guī)規(guī)定的條件。 本部分規(guī)定了用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法（ICP-AES 法）測(cè)定鋁合金中硅含量的原理、試劑、儀器、分析步驟、分析結(jié)果的計(jì)算、允許差和質(zhì)量控制與要求。 本部分適用于鋁合金中硅含量的測(cè)定。 測(cè)定范圍: 0.05%～12.00%.
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