GB/T 43885-2024 碳化硅外延片

Silicon carbide epitaxial wafer

GB/T 30652-2023 硅外延用三氯氫硅

Trichlorosilane for silicon epitaxy

GB/T 30656-2023 碳化硅單晶拋光片

Silicon carbide single crystal polished wafer

GB/T 31092-2022 藍(lán)寶石單晶晶棒

本文件規(guī)定了藍(lán)寶石單晶晶棒的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。 本文件適用于襯底、光學(xué)用途的藍(lán)寶石單晶晶棒(以下簡稱“晶棒”)。

Monocrystalline sapphire bar

GB/T 20230-2022 磷化銦單晶

本文件規(guī)定了磷化銦單晶的牌號、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和隨行文件及訂貨單內(nèi)容。 本文件適用于制作光電、微電器件用的磷化銦單晶錠及磷化銦單晶拋光片。

Indium phosphide single crystal

GB/T 20229-2022 磷化鎵單晶

本文件規(guī)定了磷化鎵單晶的牌號、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和隨行文件及訂貨單內(nèi)容。 本文件適用于制作光電、微電及聲光器件用的磷化鎵單晶錠及磷化鎵單晶研磨片。

Gallium phosphide single crystal

GB/T 20228-2021 砷化鎵單晶

本文件規(guī)定了砷化鎵單晶的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。 本文件適用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生長的,用于制備光電子、微電子等器件的砷化鎵單晶,不適用于水平布里奇曼法(HB)生長的砷化鎵單晶。

Gallium arsenide single crystal

GB/T 11094-2020 水平法砷化鎵單晶及切割片

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了水平法砷化鋒單唱(以下簡稱砷化鋒單唱)及切割片的牌號及分類要求.試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則,標(biāo)志、`包裝、運(yùn)輸,貯存.質(zhì)量證明書和訂貨單(或合同)內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于光電器件、傳感元件等用的砷化鋒單晶及切割片。

Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method

GB/T 37053-2018 氮化鎵外延片及襯底片通用規(guī)范

General specification for epitaxial wafers and substrates based on gallium nitride

GB/T 36706-2018 磷化銦多晶

Polycrystalline indium phosphide

GB/T 35308-2017 太陽能電池用鍺基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片

Epitaxial wafers of germanium based Ⅲ-Ⅴcompounds for solar cell

GB/T 35305-2017 太陽能電池用砷化鎵單晶拋光片

Monocrystalline gallium arsenide polished wafers for solar cell

GB/T 30652-2014 硅外延用三氯氫硅

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延用三氯氫硅(SiHCl)的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、質(zhì)量證明書以及訂貨單(或合同)內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于以粗三氯氫硅為原料經(jīng)過提純而制得的硅外延用三氯氫硅(以下簡稱產(chǎn)品)。

Trichlorosilane for silicon epitaxial

GB/T 30656-2014 碳化硅單晶拋光片

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了4H及6H碳化硅單晶拋光片的要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲存、質(zhì)量證明書及訂貨單(或合同)內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于4H及6H碳化硅單晶研磨片經(jīng)單面或雙面拋光后制備的碳化硅單晶拋光片。產(chǎn)品主要用于制作半導(dǎo)體照明及電力電子器件的外延襯底。

Polished monocrystalline silicon carbide wafers

GB/T 31092-2014 藍(lán)寶石單晶晶錠

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了藍(lán)寶石單晶晶錠的要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和質(zhì)量證明書、訂貨單(或合同)內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于藍(lán)寶石單晶晶錠,產(chǎn)品可用于制造氮化鎵外延薄膜及其他用途的藍(lán)寶石單晶襯底材料(以下簡稱晶錠)。

Monocrystalline sapphire ingot

GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化鎵襯底

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了LED外延芯片用磷化鎵單晶襯底片(以下簡稱襯底)的要求、檢驗(yàn)方法以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲存、質(zhì)量證明書與訂貨單(或合同)內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于LED外延芯片的磷化鎵單晶襯底。

GaP substrates for LED epitaxial chips

GB/T 30854-2014 LED發(fā)光用氮化鎵基外延片

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了LEDBe FASUCRESDHEHr CLAPfh Rb BE)BASBESIEEDYASFABa 32 AEJEBSTREADAA.本標(biāo)準(zhǔn)適用于LED2056 FWCRALSPBEI.

Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting

GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化鎵襯底

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了LED外延芯片用砷化鎵單晶襯底片(以下簡稱襯底)的要求、檢驗(yàn)方法和規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲存、質(zhì)量證明書與訂貨單(或合同)內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于LED外延芯片用的砷化鎵單晶襯底。

GaAs substrates for LED epitaxial chips

GB/T 30858-2014 藍(lán)寶石單晶襯底拋光片

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了藍(lán)寶石單晶襯底拋光片的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲存、質(zhì)量證明書與訂貨單〈或合同)內(nèi)容。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于單面拋光藍(lán)寶石襯底片〈以下簡稱藍(lán)寶石襯底片)。

Polished mono-crystalline sapphire substrate product

GB/T 30866-2014 碳化硅單晶片直徑測試方法

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用千分尺測量碳化硅單晶片直徑的方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于碳化硅單晶片直徑的測量。 2 方法提要

Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers